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TFT-LCD open cell制程

TFT-LCD open cell制程

【摘要】文章主要介紹TFT-LCD open cell制程,TFT-LCD open cell制程一般分為前段、中段和后段制程,前段制程主要是進行TFT玻璃的制作;中段制程主要指將TFT玻璃與彩色濾光片貼合;后段制程指驅動IC、印刷電路板和液晶板的壓合。筆者認為,只有了解整個TFT-LCD open cell的制程才能更好的進行TV背光系統、主板甚至整個TV的設計。

【關鍵詞】TFT-LCD open cell 制程驅動IC 印刷電路板

一、TFT-LCD open cell 制程簡述

TFT-LCD open cell制程一般分為前段、中段和后段制程,前段制程主要是進行TFT玻璃的制作,這與半導體制程非常相似;中段制程主要指將TFT玻璃與彩色濾光片貼合,并加上上下偏光板;后段制程指將驅動IC和印刷電路板壓合至TFT玻璃,并完成我們所熟知的open cell。

二、TFT-LCD open cell前段制程

TFT-LCD open cell前段制程與半導體制程非常相似,主要分成四個步驟:

1.利用沉淀形成gate metal。首先在玻璃基板上涂布一層金屬,然后涂上光阻膠,最后通過暴光、顯影、

蝕刻和除膠而形成gate metal。涂布的金屬材料主要成分為:鈦(TI)、鋁(AL)、鉬(MO)和鉻(CR)以及其混合物。

TFT-LCD open cell制程

圖1.沉淀形成gate metal

2.沉淀SI3N4(氮化硅)、a-SI(非晶硅)和N+a-si(N型硅)。首先利用PECVD( Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition )技術分別涂布一層SI3N4、N+a-si和a-si,然后在N+a-si和a-si上涂布光阻膠,通過暴光、顯影、蝕刻和除膠而形成所需形狀。PECVD指的是等離子體增強化學氣相沉積法,原理是借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉淀出所期望的薄膜。SI3N4、N+a-si和a-si三種材料充當的角色分別為:gate端和液晶存儲電容的電解質、N型半導體和P型半導體。

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